一種絕緣柵雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510477924.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN106449741B | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106449741B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-04-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/739（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李宇柱 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 常州中明半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 黃智明 |
| 地址 | 213200 江蘇省常州市金壇經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)華城路1668號(hào)國(guó)際工業(yè)城 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種絕緣柵雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu)，頂部包括有源原胞和虛擬原胞，有源原胞由兩個(gè)相鄰的有源溝槽及其相鄰半導(dǎo)體層組成，有源原胞的左右兩邊都是虛擬原胞，虛擬原胞包含虛擬溝槽，虛擬原胞以虛擬溝槽為邊界，所有溝槽都至少穿透部分CS層和部分N?漂移層；器件頂部包括三種P型基區(qū)，第一種P型基區(qū)位于有源原胞區(qū)域內(nèi)，但不存在于兩個(gè)有源溝槽之間，上面還設(shè)有N+發(fā)射區(qū)和P+接觸區(qū)，并通過(guò)介質(zhì)層中的窗口和金屬發(fā)射極相連接；第二種P型基區(qū)位于有源原胞區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)有源溝槽之間，并且都是電位懸空的；第三種P型基區(qū)位于虛擬原胞區(qū)域內(nèi)。 |
