一種絕緣柵雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510477924.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106449741A 公開（公告）日 2017-02-22
申請公布號 CN106449741A 申請公布日 2017-02-22
分類號 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宇柱 申請（專利權(quán)）人 常州中明半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃智明
地址 213200 江蘇省常州市金壇經(jīng)濟開發(fā)區(qū)華城路1668號國際工業(yè)城
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種絕緣柵雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu)，頂部包括有源原胞和虛擬原胞，有源原胞由兩個相鄰的有源溝槽及其相鄰半導(dǎo)體層組成，有源原胞的左右兩邊都是虛擬原胞，虛擬原胞包含虛擬溝槽，虛擬原胞以虛擬溝槽為邊界，所有溝槽都至少穿透部分CS層和部分N-漂移層；器件頂部包括三種P型基區(qū)，第一種P型基區(qū)位于有源原胞區(qū)域內(nèi)，但不存在于兩個有源溝槽之間，上面還設(shè)有N+發(fā)射區(qū)和P+接觸區(qū)，并通過介質(zhì)層中的窗口和金屬發(fā)射極相連接；第二種P型基區(qū)位于有源原胞區(qū)域內(nèi)的兩個有源溝槽之間，并且都是電位懸空的；第三種P型基區(qū)位于虛擬原胞區(qū)域內(nèi)。