具有不連續(xù)P型基區(qū)嵌入原胞結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610011238.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107068742A 公開(kāi)（公告）日 2017-08-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN107068742A 申請(qǐng)公布日 2017-08-18
分類號(hào) H01L29/739(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宇柱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 常州中明半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃智明
地址 213200 江蘇省常州市金壇經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)華城路1668號(hào)國(guó)際工業(yè)城
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有不連續(xù)P型基區(qū)嵌入原胞結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，包括金屬集電極、P型集電極、N型場(chǎng)終止層和N?漂移區(qū)，器件頂部包含有源原胞和嵌入原胞，有源原胞的多晶硅和柵電極相連，嵌入原胞的多晶硅和發(fā)射極電極相連，有源原胞和嵌入原胞區(qū)域都包含P型基區(qū)，有源原胞的P型基區(qū)是連續(xù)的而且通過(guò)P+區(qū)域和發(fā)射極電極相連，嵌入原胞區(qū)域的P型基區(qū)沿溝槽的延伸方向被N?漂移區(qū)分割成不連續(xù)的區(qū)域，嵌入原胞區(qū)域的每個(gè)P型基區(qū)要么電位懸空，要么和發(fā)射極電極相連。本發(fā)明在之前的CSTBT專利結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，把嵌入原胞區(qū)域的P型基區(qū)變成周期性的不連續(xù)區(qū)域，從而在器件飽和壓降和關(guān)斷能耗這兩個(gè)性能之間取得了更有利的平衡。