一種晶硅太陽能電池的鈍化方法及應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110125812.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112736162A | 公開(公告)日 | 2021-04-30 |
申請公布號 | CN112736162A | 申請公布日 | 2021-04-30 |
分類號 | H01L31/18;H01L31/068 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李倩;常向楠;張春旭;張煌軍;史金超;李鋒 | 申請(專利權(quán))人 | 英利集團(tuán)有限公司 |
代理機構(gòu) | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 | 代理人 | 付曉娣 |
地址 | 071051 河北省保定市朝陽北大街3399號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種晶硅太陽能電池的鈍化方法及應(yīng)用,屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。所述晶硅太陽能電池的鈍化方法,在氧化鋁鈍化薄膜工序與氮化硅薄膜工序之間,還包括以下步驟:向設(shè)備內(nèi)通入氨氣;當(dāng)通入氨氣達(dá)到第一預(yù)設(shè)時長,開啟射頻放電,對晶硅太陽能電池的氧化鋁鈍化薄膜進(jìn)行處理;當(dāng)射頻放電達(dá)到第二預(yù)設(shè)時長,關(guān)閉射頻放電,停止通入氨氣。所述晶硅太陽能電池的鈍化方法主要應(yīng)用于N型隧穿氧化層鈍化接觸單晶硅電池和P型雙面鈍化發(fā)射極背面接觸單晶硅電池。本發(fā)明的晶硅太陽能電池的鈍化方法,通過在氧化鋁薄膜工序和氮化硅薄膜工序之間增加了氨氣和射頻放電工藝,提高了太陽能電池的鈍化效果,從而進(jìn)一步提升太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。 |
