硅片生產(chǎn)系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510072543.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105990468B 公開(kāi)（公告）日 2018-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN105990468B 申請(qǐng)公布日 2018-09-07
分類號(hào) H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英利集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 英利集團(tuán)有限公司;英利能源（中國(guó)）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司
地址 071051 河北省保定市朝陽(yáng)北大街3399號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅片生產(chǎn)系統(tǒng)。該硅片生產(chǎn)系統(tǒng)包括：濕法刻蝕設(shè)備，濕法刻蝕設(shè)備包括設(shè)備排風(fēng)部與熱風(fēng)干燥槽，熱風(fēng)干燥槽具有硅片傳送入口和硅片傳送出口；臭氧氧化設(shè)備，設(shè)置在熱風(fēng)干燥槽的下游，且臭氧氧化設(shè)備通過(guò)硅片傳送出口與熱風(fēng)干燥槽連通；濕法刻蝕設(shè)備還包括：隔板，設(shè)置在熱風(fēng)干燥槽與設(shè)備排風(fēng)部之間以至少部分地將二者隔離，使熱風(fēng)干燥槽內(nèi)的氣壓大于等于臭氧氧化設(shè)備內(nèi)的氣壓。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案可以解決現(xiàn)有技術(shù)中臭氧與硅片提前反應(yīng)并再經(jīng)過(guò)滾輪的碾壓而導(dǎo)致硅片表面的氧化層的薄厚不均的問(wèn)題。