分離單晶硅堝底料中石英的工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN02111781.0 申請日 -
公開（公告）號 CN1459415A 公開（公告）日 2003-12-03
申請公布號 CN1459415A 申請公布日 2003-12-03
分類號 C01B33/00;C01B33/037 分類 無機化學;
發(fā)明人 昌金銘;唐駿;楊佳榮;黃炳華;吳建榮 申請（專利權）人 中國科技開發(fā)院浙江分院有限公司
代理機構 浙江杭州金通專利事務所有限公司 代理人 陳向群
地址 310012浙江省杭州市西湖區(qū)文二路218號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體分離技術領域，特別是涉及一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝，包括下列步驟：a.將堝底料破碎，得到顆粒狀的堝底料；b.用Si3N4涂料刷抹坩堝底部和內壁，讓其自然干燥；c.把顆粒狀堝底料放置在坩堝內；d.裝有顆粒狀堝底料的坩堝放入中頻感應電爐，開啟電源使爐內溫度升高至熔點溫度后100℃左右，保溫10－30分鐘，則顆粒狀堝底料在坩堝內重熔；e.在加熱達到規(guī)定時間后，關掉電源，待自然冷卻后，可得到已分離的硅與石英；本發(fā)明提供的分離單晶硅堝底料中石英的工藝方法，通過將混含有石英的堝底料放置在中頻爐中高溫加熱熔融，利用硅的熔點低于石英熔點的特性，能夠方便地將石英顆粒與硅液分離開，因此，本發(fā)明具有工藝簡單、生產安全、能耗低、分離效果好等優(yōu)點。