一種雙溝結構的脊上開孔方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910769949.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110491777B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN110491777B 申請公布日 2021-08-03
分類號 H01L21/027（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;G03F7/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄧仁亮;歐祥勇;薛正群;李敬波;楊重英;吳林福生;高家敏;郭智勇;蘇輝 申請（專利權）人 福州中科光芯科技有限公司
代理機構 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 代理人 黃詩錦;蔡學俊
地址 350000福建省福州市鼓樓區(qū)軟件大道89號福州軟件園E區(qū)14號樓4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種雙溝結構的脊上開孔方法，包括如下步驟：在具有雙溝的晶元上生長二氧化硅鈍化層；勻膠負性光刻膠兩次，進行前烘；準備好所需光刻版，將晶元對位曝光；將曝光后的晶元進行曝光后烘；將晶元泛曝光，進行顯影；在顯微鏡下檢驗合格后，后烘；勻膠負性光刻膠一次，進行前烘；準備好所需光刻版，且晶元對位曝光預設時間；將曝光后的晶元進行曝光后烘；將晶元泛曝光，進行顯影；在顯微鏡下檢驗合格后，后烘；將后烘后的晶元送到RIE刻蝕機進行刻蝕；將刻蝕后的晶元進行去膠清洗。本發(fā)明采用兩次負膠反轉光刻工藝和一次RIE刻蝕結合，減小對位難度并且能夠有效保護臺面邊緣的二氧化硅鈍化層，使得臺面開孔區(qū)域形貌優(yōu)良，便于電流注入。