一種雙溝結(jié)構(gòu)的脊上開孔方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910769949.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110491777B 公開（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN110491777B 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類號(hào) H01L21/027（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;G03F7/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄧仁亮;歐祥勇;薛正群;李敬波;楊重英;吳林福生;高家敏;郭智勇;蘇輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福州中科光芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 黃詩(shī)錦;蔡學(xué)俊
地址 350000福建省福州市鼓樓區(qū)軟件大道89號(hào)福州軟件園E區(qū)14號(hào)樓4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種雙溝結(jié)構(gòu)的脊上開孔方法，包括如下步驟：在具有雙溝的晶元上生長(zhǎng)二氧化硅鈍化層；勻膠負(fù)性光刻膠兩次，進(jìn)行前烘；準(zhǔn)備好所需光刻版，將晶元對(duì)位曝光；將曝光后的晶元進(jìn)行曝光后烘；將晶元泛曝光，進(jìn)行顯影；在顯微鏡下檢驗(yàn)合格后，后烘；勻膠負(fù)性光刻膠一次，進(jìn)行前烘；準(zhǔn)備好所需光刻版，且晶元對(duì)位曝光預(yù)設(shè)時(shí)間；將曝光后的晶元進(jìn)行曝光后烘；將晶元泛曝光，進(jìn)行顯影；在顯微鏡下檢驗(yàn)合格后，后烘；將后烘后的晶元送到RIE刻蝕機(jī)進(jìn)行刻蝕；將刻蝕后的晶元進(jìn)行去膠清洗。本發(fā)明采用兩次負(fù)膠反轉(zhuǎn)光刻工藝和一次RIE刻蝕結(jié)合，減小對(duì)位難度并且能夠有效保護(hù)臺(tái)面邊緣的二氧化硅鈍化層，使得臺(tái)面開孔區(qū)域形貌優(yōu)良，便于電流注入。