晶圓重測(cè)的方法及測(cè)試設(shè)備
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911335170.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111157868B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-09-10 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111157868B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-10 |
分類號(hào) | G01R31/26;G01R31/28 | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 馬勇;彭良寶;張偉;門洪達(dá) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廣西天微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 虞凌霄 |
地址 | 542800 廣西壯族自治區(qū)賀州市生態(tài)產(chǎn)業(yè)園標(biāo)準(zhǔn)廠房三期3號(hào)樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種晶圓的重測(cè)方法及測(cè)試設(shè)備。該方法包括:設(shè)置晶圓的第一區(qū)域,所述第一區(qū)域是由晶圓上不參與參數(shù)測(cè)試的芯片區(qū)域組成的區(qū)域;獲取晶圓的第二區(qū)域,所述第二區(qū)域是由晶圓經(jīng)初次參數(shù)測(cè)試后獲取的參數(shù)異常的芯片區(qū)域組成的區(qū)域;根據(jù)第一區(qū)域和第二區(qū)域獲取晶圓的測(cè)試區(qū)域,所述測(cè)試區(qū)域是由第二區(qū)域中與第一區(qū)域不同的芯片區(qū)域組成的區(qū)域;測(cè)試測(cè)試區(qū)域中各芯片區(qū)域的參數(shù)。通過(guò)設(shè)置不參與參數(shù)測(cè)試的芯片區(qū)域組成的第一區(qū)域,使得重測(cè)時(shí)測(cè)試區(qū)域的芯片區(qū)域均為有效測(cè)試區(qū)域,減小了重測(cè)時(shí)的無(wú)效測(cè)試,縮短了晶圓重測(cè)的作業(yè)時(shí)間,提高了測(cè)試效率,減少了針卡耗材的消耗,提高了生產(chǎn)效率。 |
