一種硅單晶片制造開(kāi)放PN結(jié)快恢復(fù)整流二極管的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810122087.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101404254B 公開(kāi)（公告）日 2011-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN101404254B 申請(qǐng)公布日 2011-05-18
分類(lèi)號(hào) H01L21/329(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;毛建軍;胡煜濤;朱志遠(yuǎn);王錚;胡夢(mèng) 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司;杭州晶地半導(dǎo)體有限公司
地址 310053 浙江省杭州市濱江區(qū)高新軟件園7號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅單晶片制造開(kāi)放PN結(jié)快恢復(fù)整流二極管的方法。包括如下步驟：1)N-型硅單晶片整個(gè)面擴(kuò)散N+型半導(dǎo)體雜質(zhì)，得到N+/N-/N+結(jié)構(gòu)；2)研磨硅片的一個(gè)表面，得到N-/N+結(jié)構(gòu)；3)N-面擴(kuò)散P+型半導(dǎo)體雜質(zhì)，得到P+/N-/N+結(jié)構(gòu)；4)在P+/N-/N+結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散鉑。本發(fā)明的硅單晶片制造開(kāi)放PN結(jié)快恢復(fù)整流二極管的方法革除了普通采用的氧化膜掩蔽下區(qū)域擴(kuò)散半導(dǎo)體雜質(zhì)的晶體管平面工藝，代之以在整個(gè)硅片表面上擴(kuò)散N、P型半導(dǎo)體雜質(zhì)和擴(kuò)散鉑的開(kāi)放PN結(jié)工藝，制造硅快恢復(fù)整流二極管。使用該發(fā)明方法，采用硅單晶研磨片來(lái)代替硅外延片作為制造開(kāi)放PN結(jié)快恢復(fù)整流二極管的基片材料，可簡(jiǎn)化二極管的制造工藝流程，縮短生產(chǎn)周期，降低成本，提高產(chǎn)品性價(jià)比。