一種多重金屬擴(kuò)散快恢復(fù)二極管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010589316.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102117840A 公開(kāi)（公告）日 2011-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN102117840A 申請(qǐng)公布日 2011-07-06
分類號(hào) H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛建軍;陳福元;冷思明;朱志遠(yuǎn);胡煜濤;王錚 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司;杭州晶地半導(dǎo)體有限公司
地址 310053 浙江省杭州市濱江區(qū)高新軟件園7號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種多重金屬擴(kuò)散快恢復(fù)二極管及其制備方法。它包括如下步驟：1）在N-型半導(dǎo)體輕摻雜硅片正反面分別擴(kuò)散入P+型和N+型雜質(zhì)，得到P+N-N+硅整流二極管擴(kuò)散片；2）P+N-N+硅片表面噴砂打毛。用電子化學(xué)清洗1#液清洗P+N-N+硅片，經(jīng)過(guò)純水沖洗；再用電子化學(xué)清洗2#液清洗，硅片甩干；3）高溫下金、鉑、鈀多重金屬同時(shí)一次擴(kuò)散進(jìn)入P+N-N+硅片中；4）P+N-N+硅片雙表面噴砂打毛，雙表面鍍上鎳層，鋸切成快恢復(fù)整流二極管芯片；5）通過(guò)隧道爐將快恢復(fù)整流二極管芯片與封裝底座焊接；6）用混合酸液對(duì)快恢復(fù)整流二極管毛坯上的芯片外露部分進(jìn)行化學(xué)腐蝕清洗、上保護(hù)膠、壓模成型封裝。本發(fā)明簡(jiǎn)化快恢復(fù)整流二極管的制造工藝流程，降低成本，提高產(chǎn)品性價(jià)比。