一種P+、N+型雜質雙擴散制造硅二極管的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210113286.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102646586A 公開（公告）日 2012-08-22
申請公布號 CN102646586A 申請公布日 2012-08-22
分類號 H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;毛建軍;胡煜濤;朱志遠;王錚;任亮;蘇云清 申請（專利權）人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司
代理機構 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 張法高
地址 310053 浙江省杭州市濱江區(qū)高新軟件園7#樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種P+、N+型雜質雙擴散制造硅二極管的方法。包括如下步驟：1)在N型均勻摻雜的硅單晶片的表面上擴散入N型半導體雜質，得到N+/N型擴散片。2)在N+/N型擴散片的表面上擴散入P+型半導體雜質，得到P+/N+/N型擴散片。3)研磨P+/N+/N型擴散片的上下表面，并鍍上鎳層。4)將P+/N+/N型擴散片鋸切成二極管芯片。5)將二極管芯片的上下表面與封裝底座焊接、酸洗、上絕緣硅膠鈍化、壓模成型，制成硅二極管。本發(fā)明的P+、N+型雜質雙擴散制造硅二極管的方法在選用硅單晶材料上比傳統(tǒng)工藝方法有著更大的靈活性、適應性，從而有效提高產品性價比，產生可觀的經濟效益。