一種抗電浪涌低壓保護(hù)硅二極管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110116537.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102194894A 公開（公告）日 2011-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN102194894A 申請(qǐng)公布日 2011-09-21
分類號(hào) H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;毛建軍;胡煜濤;朱志遠(yuǎn);王錚;任亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司;杭州晶地半導(dǎo)體有限公司
地址 310053 浙江省杭州市濱江區(qū)高新軟件園7號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種抗電浪涌低壓保護(hù)硅二極管及其制備方法。它包括如下步驟：1）在P型硅單晶拋光片表面上擴(kuò)散入N+型半導(dǎo)體雜質(zhì)磷,得到PN+硅片；2）用電子化學(xué)清洗1#液和2#液清洗PN+硅片，經(jīng)過純水沖洗,將硅片甩干；3）在清洗后的PN+硅片上進(jìn)行N-型外延生長(zhǎng)，得到PN+N-硅片；4）在PN+N-硅片上擴(kuò)散入N+型半導(dǎo)體雜質(zhì)磷，得到PN+N-N+的硅片；5）在PN+N-N+硅片的雙表面鍍上金屬層，進(jìn)行合金，鋸切，得到二極管芯片；6）將二極管芯片與封裝底座焊接,上保護(hù)膠、壓模成型封裝成器件。本發(fā)明制造的抗電浪涌低壓保護(hù)硅二極管具有生產(chǎn)設(shè)備通用，產(chǎn)品性價(jià)比高，市場(chǎng)廣闊的特點(diǎn)。