一種硅單晶薄片氧化單面預(yù)擴(kuò)散制造晶體管的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810121643.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101383284B 公開(kāi)（公告）日 2010-11-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN101383284B 申請(qǐng)公布日 2010-11-03
分類號(hào) H01L21/331(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司;杭州晶地半導(dǎo)體有限公司
地址 310053 浙江省杭州市濱江區(qū)高新軟件園7號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅單晶薄片氧化單面預(yù)擴(kuò)散制造晶體管的方法，它包括如下步驟：1)在硅單晶片整個(gè)面上生長(zhǎng)氧化硅層；2)去除一表面上的氧化硅層；3)在去除氧化硅層的表面上預(yù)先擴(kuò)散入N+或p+半導(dǎo)體雜質(zhì)；4)在1250～1300℃溫度下，進(jìn)行50～250小時(shí)單面硅內(nèi)N+或p+雜質(zhì)的推結(jié)；5)對(duì)另一單面的N-或p-面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；6)在N-/N+或P-/P+硅基片上制造晶體管。本發(fā)明革除了常規(guī)半導(dǎo)體工業(yè)所采用的必須研磨去一個(gè)單面上占到2/5硅片總厚度的N-或p-雜質(zhì)深擴(kuò)散層的三重?cái)U(kuò)散工藝做法，節(jié)省1/4硅片用料。充分體現(xiàn)節(jié)材和產(chǎn)品高性價(jià)比的特點(diǎn)。