一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210383748.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102915967A 公開（公告）日 2013-02-06
申請公布號 CN102915967A 申請公布日 2013-02-06
分類號 H01L21/8222(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;毛建軍;胡煜濤;朱志遠(yuǎn);王錚;任亮;楊希望 申請（專利權(quán)）人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司;杭州晶地半導(dǎo)體有限公司
地址 310053 浙江省杭州市濱江區(qū)高新軟件園7號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法。它包括如下步驟：在N-/N+型硅片的N-面上氧化、光刻、擴(kuò)散入P型雜質(zhì)，形成硅晶體三極管的P+型基區(qū)（B）和硅晶體二極管的P+型正極（+）區(qū)；在硅晶體三極管的P+型基區(qū)（B）上定域擴(kuò)散入N型雜質(zhì)，形成三極管的發(fā)射區(qū)（E），同時(shí)于硅晶體二極管的P+型正極（+）區(qū)周圍選擇擴(kuò)散入N+型雜質(zhì)，形成硅晶體二極管的負(fù)極（-）區(qū)；在各雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)上光刻開出引線孔、蒸發(fā)鋁金屬、光刻電極內(nèi)引線、合金，制成硅晶體二極管三極管的集成芯片。本發(fā)明簡化了集成工藝流程，降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品性價(jià)比。