一種高動(dòng)態(tài)CMOS像素單元

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711223682.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN108040216B 公開(kāi)(公告)日 2018-05-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN108040216B 申請(qǐng)公布日 2018-05-15
分類號(hào) H04N5/374(2011.01)I;H04N5/355(2011.01)I 分類 -
發(fā)明人 段杰斌;嚴(yán)慧婕;溫建新;李琛;羅穎 申請(qǐng)(專利權(quán))人 上海華虹(集團(tuán))有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司;上海華虹(集團(tuán))有限公司
地址 201210上海市浦東新區(qū)上海浦東張江高斯路497號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種高動(dòng)態(tài)CMOS像素單元,包括:依次連接的感光二極管、第一MOS管、第五MOS管、第六MOS管;第三MOS管和第四MOS管,其一極分別連接在第一MOS管和第五MOS管之間,第四MOS管的另一極連接電容;第二MOS管,其一極連接在感光二極管和第一MOS管之間,另一極連接在第四MOS管和電容之間;電流源,其一極連接在第六MOS管的輸出端。本發(fā)明能夠同時(shí)輸出低光照信號(hào)和高光照信號(hào),并可通過(guò)對(duì)低光照信號(hào)和高光照信號(hào)進(jìn)行信號(hào)拼接處理,增大像素單元的飽和輸出電壓,從而可增大像素單元的有效感光范圍,并因此提高圖像傳感器的動(dòng)態(tài)范圍。本發(fā)明還公開(kāi)了一種高動(dòng)態(tài)CMOS像素單元的信號(hào)采集和處理方法。??