一種高動態(tài)CMOS像素單元及其信號采集和處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711223682.2 申請日 -
公開（公告）號 CN108040216A 公開（公告）日 2018-05-15
申請公布號 CN108040216A 申請公布日 2018-05-15
分類號 H04N5/374;H04N5/355 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 段杰斌;嚴慧婕;溫建新;李琛;羅穎 申請（專利權(quán)）人 上海華虹（集團）有限公司
代理機構(gòu) 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司;上海華虹（集團）有限公司
地址 201210 上海市浦東新區(qū)上海浦東張江高斯路497號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高動態(tài)CMOS像素單元，包括：依次連接的感光二極管、第一MOS管、第五MOS管、第六MOS管；第三MOS管和第四MOS管，其一極分別連接在第一MOS管和第五MOS管之間，第四MOS管的另一極連接電容；第二MOS管，其一極連接在感光二極管和第一MOS管之間，另一極連接在第四MOS管和電容之間；電流源，其一極連接在第六MOS管的輸出端。本發(fā)明能夠同時輸出低光照信號和高光照信號，并可通過對低光照信號和高光照信號進行信號拼接處理，增大像素單元的飽和輸出電壓，從而可增大像素單元的有效感光范圍，并因此提高圖像傳感器的動態(tài)范圍。本發(fā)明還公開了一種高動態(tài)CMOS像素單元的信號采集和處理方法。