一種集成電路、電容器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410753097.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN105742246A 公開（公告）日 2016-07-06
申請公布號(hào) CN105742246A 申請公布日 2016-07-06
分類號(hào) H01L21/82(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江文;關(guān)英 申請（專利權(quán)）人 熠芯（珠海）微電子研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭麗
地址 519085 廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)高新區(qū)科技四路1號(hào)1#廠房一層C區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種集成電路、電容器件及其制作方法。該方法包括：在金屬氧化物半導(dǎo)體MOS的表面形成第一金屬層，所述第一金屬層包括第一金屬圖案和與第一金屬圖案絕緣的第二金屬圖案，所述第一金屬圖案覆蓋與MOS的柵極區(qū)域垂直相對(duì)的區(qū)域，且通過過孔與所述MOS的源極區(qū)域和漏極區(qū)域連接，所述第二金屬圖案通過過孔與所述MOS的柵極區(qū)域連接；在所述第一金屬層的表面形成介電層；在所述介電層的表面設(shè)置金屬氧化物金屬M(fèi)OM電容，所述MOM電容一端連接所述MOS的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，另一端連接所述MOS的柵極區(qū)域。該方法用于解決MOS電容、MOM電容和MIM電容并聯(lián)架構(gòu)制作工藝復(fù)雜的問題。