一種焰熔法生長光學(xué)級鈦酸鍶單晶體裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710575402.8 申請日 -
公開（公告）號 CN107236992B 公開（公告）日 2019-11-29
申請公布號 CN107236992B 申請公布日 2019-11-29
分類號 C30B29/32;C30B11/10 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉旭東;畢孝國;惠宇;孫旭東 申請（專利權(quán)）人 沈陽鑫譜晶體科技有限公司
代理機構(gòu) 大連智高專利事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 蓋小靜
地址 116622 遼寧省大連市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)學(xué)府大街10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種焰熔法生長光學(xué)級鈦酸鍶單晶體裝置，包括：升降機構(gòu)、結(jié)晶臺、爐體、生長室、燃燒器、棒體原料、送料機構(gòu)；所述結(jié)晶臺安裝在升降機構(gòu)上，單晶體在結(jié)晶臺上進行結(jié)晶，所述爐體內(nèi)部的腔室為生長室，單晶體置于生長室中，所述燃燒器置于爐體上，燃燒器底部的噴嘴與生長室相連通，棒體原料穿過燃燒器置于生長室中的單晶體上方，所述送料機構(gòu)置于棒體原料頂部。本申請?zhí)岣吡司w穩(wěn)定生長所需給料量的控制精度，進而提高了晶體質(zhì)量和成品率，降低了晶體生長成本。