一種集成前置放大電路的深硅探測器模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110056836.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112885855A 公開（公告）日 2021-06-01
申請公布號 CN112885855A 申請公布日 2021-06-01
分類號 H01L27/146;H01L25/16 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鵬 申請（專利權(quán)）人 核芯光電科技（山東）有限公司
代理機構(gòu) 濟南舜源專利事務(wù)所有限公司 代理人 張營磊
地址 277200 山東省棗莊市山亭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)青屏路666號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種集成前置放大電路的深硅探測器模塊，包括至少兩片探測器芯片；各探測器芯片層疊設(shè)置，且相鄰探測器芯片呈角度設(shè)置；探測器芯片包括靈敏區(qū)、集成區(qū)、鍵合區(qū)及開孔區(qū)單元；靈敏區(qū)單元包括若干光電單元組成的硅微條；集成區(qū)單元包括ASIC芯片，ASIC芯片包括輸入輸出管腳；鍵合區(qū)包括輸入、輸出引線焊盤以及鍵合鋁絲；輸入引線焊盤與、光電單元以及輸入管腳連接；輸出引線焊盤與同層的ASIC芯片輸出管腳連接，或者相鄰層的ASIC芯片輸出引線管腳連接；開孔區(qū)，用于避讓ASIC芯片輸出管腳與相鄰層的輸出引線焊盤的層間走線，同時避讓相鄰層的ASIC芯片以及焊盤與ASIC芯片管腳間的鍵合鋁絲。