具有p-GaN蓋帽層的HEMT器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110313170.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113113480A 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN113113480A 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L29/20（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳龍;程靜云;商延衛(wèi);馬旺;陳祖堯;袁理 申請（專利權(quán)）人 聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 266000山東省青島市即墨區(qū)服裝工業(yè)園孔雀河三路56號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種具有p?GaN蓋帽層的HEMT器件及制備方法，通過在H2氛圍下進(jìn)行退火處理，可使得顯露的p?GaN層與H2反應(yīng)形成p?GaN鈍化層，可避免對p?GaN層的刻蝕；將p?GaN層中的Mg鈍化成Mg?H鍵，可降低空穴濃度，將p?GaN層轉(zhuǎn)化成高阻的p?GaN鈍化層，以截斷HEMT器件中p?GaN層的漏電通道，提高柵控制能力；p?GaN鈍化層可釋放其下方位于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面、原先被耗盡的溝道二維電子氣；保留下來的較厚的高阻的p?GaN鈍化層有利于降低HEMT器件的電流崩塌。