GaN基HEMT器件、器件外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110995703.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113793868A 公開（公告）日 2021-12-14
申請公布號 CN113793868A 申請公布日 2021-12-14
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/38（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬旺;陳龍;程靜云;陳祖堯;王洪朝;袁理 申請（專利權(quán)）人 聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 賀妮妮
地址 266000山東省青島市即墨區(qū)服裝工業(yè)園孔雀河三路56號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種GaN基HEMT器件、器件外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。外延結(jié)構(gòu)自下向上依次包括形成于襯底上的：C摻雜c?GaN高阻層、擴散阻擋層、本征u?GaN溝道層及AlGaN勢壘層；擴散阻擋層為由至少一層SiN層、至少一層AlN層及至少一層GaN層構(gòu)成的群組中的至少兩層形成的疊層結(jié)構(gòu)，且該疊層結(jié)構(gòu)包括至少一層SiN層，同時包括至少一層AlN層或GaN層；或為由疊層結(jié)構(gòu)周期性交替組成的超晶格結(jié)構(gòu)。SiN層具有極佳的遮蔽能力，能夠有效地遮蔽雜質(zhì)原子的擴散，因此可以有效阻擋C摻雜c?GaN高阻層中的C原子擴散至本征u?GaN溝道層中；再設(shè)置AlN層及GaN層，為擴散阻擋層的生長提供生長過渡的作用，從而使擴散阻擋層在起到遮蔽作用的同時，還可實現(xiàn)更好的晶體生長質(zhì)量。