硅-氮化鎵復合襯底、復合器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110313173.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113130297A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113130297A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳龍;程靜云;商延衛(wèi);馬旺;陳祖堯;袁理 申請（專利權）人 聚能晶源（青島）半導體材料有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 266000山東省青島市即墨區(qū)服裝工業(yè)園孔雀河三路56號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種硅?氮化鎵復合襯底、復合器件及制備方法，硅?氮化鎵復合襯底包括硅基底、淺溝槽隔離結構、III?N族外延結構及第二硅層；硅基底包括第一硅層；淺溝槽隔離結構位于硅基底上且貫穿第一硅層；III?N族外延結構位于第一硅層的表面包括GaN溝道層及AlGaN勢壘層且位于淺溝槽隔離結構的外側；第二硅層位于第一硅層的表面且位于淺溝槽隔離結構的內側。本發(fā)明可在同一平面集成硅基及氮化鎵基的復合襯底，進一步可制備共平面集成硅?氮化鎵復合器件，從而在晶圓制造階段實現(xiàn)硅器件和氮化鎵器件共平面、小間距片上互聯(lián)，解決不同材料器件互聯(lián)的寄生效應問題，且可節(jié)省占板面積，提高集成度及集成器件的性能。