具有表面微結(jié)構(gòu)的高亮度發(fā)光二極管及其制備和篩選方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410138259.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103872203A 公開（公告）日 2014-06-18
申請公布號 CN103872203A 申請公布日 2014-06-18
分類號 H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳超瑜;蔡坤煌;盧怡安;吳俊毅;陶青山;王篤祥 申請（專利權(quán)）人 三安光電股份有限公司
代理機構(gòu) 天津濱?？凭曋R產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 三安光電股份有限公司;天津三安光電有限公司
地址 300384 天津市西青區(qū)海泰南道20號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種具有表面微結(jié)構(gòu)的高亮度發(fā)光二極管及其制備和篩選方法，所述表面微結(jié)構(gòu)的特征是發(fā)光二極管的出光表面的粗化總表面積與垂直投影面積的比值大于1.5，出光表面上的峰密度大于或等于0.3/μm2。本發(fā)明中外延片的粗化總表面積與垂直投影面積比值越高越有利于提高外延片的光取出效率，單位面積內(nèi)高于臨界高度的峰數(shù)越多越有利于提高外延片的光取出效率，即外延片光取出效率大大提高。