一種低功耗的綠色環(huán)保屏的TFT基板制作工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110051146.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112885779A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112885779A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/77;H01L27/12 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吳汝健;李建華 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣州易博士管理咨詢(xún)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都魚(yú)爪智云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 趙晨宇 |
| 地址 | 511458 廣東省廣州市南沙區(qū)豐澤東路106號(hào)（自編1號(hào)樓）X1301一B5667（集群注冊(cè)）（JM） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出了一種低功耗的綠色環(huán)保屏的TFT基板制作工藝，涉及顯示屏領(lǐng)域。一種低功耗的綠色環(huán)保屏的TFT基板制作工藝，包括如下步驟：在玻璃板上形成多晶硅有源層，在上述多晶硅有源層上覆蓋柵極絕緣層，將上述柵極絕緣層通過(guò)F型離子摻雜形成F型阱，在上述F型阱中通過(guò)PMOS輕摻雜注入形成PMOS器件漏輕摻雜結(jié)構(gòu)，對(duì)上述PMOS器件漏輕摻雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行摻氮處理，在上述柵極絕緣層上形成第一柵極和源漏極。本發(fā)明能夠使環(huán)保屏更省電，并延長(zhǎng)環(huán)保屏的使用壽命。 |
