集成半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810842306.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108962890B 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN108962890B 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L27/085（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 深圳市南碩明泰科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市蘭鋒盛世知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 馬世中
地址 518000廣東省深圳市羅湖區(qū)蓮塘街道羅沙路四季御園8座902
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成半導體器件，其包括襯底，形成在襯底上的第一漂移區(qū)，依次形成在第一漂移區(qū)上的第一阱區(qū)、第二漂移區(qū)、第二阱區(qū)、第三漂移區(qū)，形成在第一阱區(qū)上的漏極，形成在第二漂移區(qū)上的第一絕緣層，形成在第二阱區(qū)和第二漂移區(qū)上的第一柵源部，形成在第三漂移區(qū)上的第二柵源部和第二絕緣層；第一柵源部包括第一柵極和第一源極，第一源極形成在第二阱區(qū)上，第一柵極的一端形成在第一絕緣層上，第一柵極的另一端形成在第二阱區(qū)上；第二柵源部包括第二柵極和第二源極，第二柵極形成在第二絕緣層上，第二源極形成在第三漂移區(qū)上。其能解決集成器件中橫向雙擴散金屬氧化物場效應晶體管及結(jié)型場效應晶體管占用體積大的問題。