一種晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810928300.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109119473B 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN109119473B 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 深圳市南碩明泰科技有限公司
代理機構 南京利豐知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 211500 江蘇省南京市六合區(qū)雄州街道王橋路59號裙樓214室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體涉及一種新型半導體晶體管及其制造方法，所述晶體管包括：襯底，所述襯底上設有一源區(qū)、一漏區(qū)以及連通所述源漏區(qū)的溝道區(qū)；一柵結構，所述柵結構是垂直結構，在晶體管開啟時，源極的電子，順著體內垂直多晶硅柵的兩側向漏極水平流動，從而實現(xiàn)將位于器件表面的單一平面溝道轉移到溝槽側壁成為多條導電溝道的目的，本發(fā)明相比較傳統(tǒng)的平面型晶體管結構具有更低的導通電阻，更高的電流驅動能力。