一種晶體管及其制作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810928300.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN109119473B | 公開(公告)日 | 2021-09-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109119473B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-21 |
分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳市南碩明泰科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 任立 |
地址 | 211500 江蘇省南京市六合區(qū)雄州街道王橋路59號(hào)裙樓214室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種新型半導(dǎo)體晶體管及其制造方法,所述晶體管包括:襯底,所述襯底上設(shè)有一源區(qū)、一漏區(qū)以及連通所述源漏區(qū)的溝道區(qū);一柵結(jié)構(gòu),所述柵結(jié)構(gòu)是垂直結(jié)構(gòu),在晶體管開啟時(shí),源極的電子,順著體內(nèi)垂直多晶硅柵的兩側(cè)向漏極水平流動(dòng),從而實(shí)現(xiàn)將位于器件表面的單一平面溝道轉(zhuǎn)移到溝槽側(cè)壁成為多條導(dǎo)電溝道的目的,本發(fā)明相比較傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)具有更低的導(dǎo)通電阻,更高的電流驅(qū)動(dòng)能力。 |
