一種多傳感器的協(xié)同制造工藝流程
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810774509.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108862186B | 公開（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108862186B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-06 |
| 分類號(hào) | B81B7/04;B81C1/00 | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 趙敏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 河南匯納科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 鄭州裕晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 徐志威 |
| 地址 | 450000 河南省鄭州市航空港區(qū)四港聯(lián)動(dòng)大道與省道S102交匯處西南鄭州臺(tái)灣科技園A-1樓5單元101號(hào)標(biāo)準(zhǔn)廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種多傳感器的協(xié)同制造工藝流程，其具體制備工藝流程如下：S1、采用SOI圓片作為MEMS傳感器層，SOI頂層硅為n型摻雜；S2、進(jìn)行兩次正面離子注入；S3、對(duì)SOI圓片的正反面進(jìn)行沉積形成鈍化層薄膜；S4、將SOI圓片的正面進(jìn)行濺射電極和引線；S5、對(duì)SOI圓片進(jìn)行器件層刻蝕；S6、對(duì)SOI圓片進(jìn)行襯底層刻蝕；S7、對(duì)SOI圓片的埋氧層進(jìn)行刻蝕；S8、對(duì)MEMS于CMOS三位集成；本發(fā)明具有協(xié)同效果好、制造簡便的優(yōu)點(diǎn)。 |
