一種多傳感器的協(xié)同制造工藝流程

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810774509.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108862186A 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN108862186A 申請公布日 2021-07-06
分類號 B81B7/04;B81C1/00 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 趙敏 申請（專利權(quán)）人 河南匯納科技有限公司
代理機構(gòu) 鄭州裕晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 徐志威
地址 450000 河南省鄭州市航空港區(qū)四港聯(lián)動大道與省道S102交匯處西南鄭州臺灣科技園A-1樓5單元101號標準廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種多傳感器的協(xié)同制造工藝流程，其具體制備工藝流程如下：S1、采用SOI圓片作為MEMS傳感器層，SOI頂層硅為n型摻雜；S2、進行兩次正面離子注入；S3、對SOI圓片的正反面進行沉積形成鈍化層薄膜；S4、將SOI圓片的正面進行濺射電極和引線；S5、對SOI圓片進行器件層刻蝕；S6、對SOI圓片進行襯底層刻蝕；S7、對SOI圓片的埋氧層進行刻蝕；S8、對MEMS于CMOS三位集成；本發(fā)明具有協(xié)同效果好、制造簡便的優(yōu)點。