功率MOSFET及其制造方法和電子設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011594169.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112635567A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN112635567A 申請(qǐng)公布日 2021-04-09
分類(lèi)號(hào) H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊東林;陳文高;劉俠;潘志勝 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州邁志微半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明;趙吉陽(yáng)
地址 201306 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號(hào)1號(hào)樓、2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開(kāi)提供了一種功率MOSFET及其制造方法和電子設(shè)備，功率MOSFET包括：硅襯底以及硅襯底上的硅外延層；多個(gè)溝槽，間隔排列且形成在硅外延層內(nèi)；多個(gè)源極多晶硅，形成在多個(gè)溝槽下部?jī)?nèi)且被場(chǎng)氧層包圍；多個(gè)柵極多晶硅，形成在多個(gè)溝槽上部?jī)?nèi)且通過(guò)高密度二氧化硅與源極多晶硅間隔開(kāi)；柵極多晶硅四周環(huán)繞有柵極氧化層；多個(gè)介質(zhì)氧化層，形成在柵極多晶硅上方，并且在橫向方向上越過(guò)溝槽邊界并生長(zhǎng)到相鄰的部分硅外延層中；多個(gè)第一體區(qū)，間隔排列且位于多個(gè)溝槽之間；多個(gè)源區(qū)，位于多個(gè)第一體區(qū)上方；多個(gè)接觸孔，多個(gè)接觸孔從硅外延層的頂表面延伸至第一體區(qū)，多個(gè)接觸孔利用介質(zhì)氧化層作為硬掩模層刻蝕形成，并與多個(gè)介質(zhì)氧化層自對(duì)準(zhǔn)形成。