基于梯度硅鋁合金的內(nèi)置流道電子封裝模塊及其成形方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911103114.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110729251A 公開（公告）日 2020-01-24
申請公布號 CN110729251A 申請公布日 2020-01-24
分類號 H01L23/04;H01L23/06;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/433;H01L23/473;H01L21/56;B23P15/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李斐;邢大偉 申請（專利權(quán)）人 泰州鑄鼎新材料制造有限公司
代理機構(gòu) 哈爾濱龍科專利代理有限公司 代理人 泰州鑄鼎新材料制造有限公司;哈工大泰州創(chuàng)新科技研究院有限公司
地址 225300 江蘇省泰州市醫(yī)藥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)泰鎮(zhèn)路東側(cè)約100米、疏港路北側(cè)6#樓1017
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于梯度硅鋁合金的內(nèi)置流道電子封裝模塊及其成形方法，所述內(nèi)置流道電子封裝模塊包括封裝盒體和蓋板，其中：所述封裝盒體的材料為梯度硅鋁合金；所述梯度硅鋁合金是沿某一方向硅含量呈梯度變化的高硅鋁合金，沿該方向硅的體積分數(shù)由低到高呈現(xiàn)梯度變化；所述封裝盒體具有內(nèi)腔結(jié)構(gòu)和蛇形流道結(jié)構(gòu)；所述內(nèi)腔結(jié)構(gòu)在高硅層處加工；所述蛇形流道在低硅層處加工。該封裝模塊擁有優(yōu)異的散熱能力，同時該模塊梯度硅鋁的高硅層還具有與芯片良好的熱匹配性，適用于提高電子信息領(lǐng)域封裝模塊的散熱能力。