種子層的刻蝕方法、晶圓級封裝鍵合環(huán)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011134703.5 申請日 -
公開(公告)號 CN112479153A 公開(公告)日 2021-03-12
申請公布號 CN112479153A 申請公布日 2021-03-12
分類號 B81B7/02(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 李勝利;王春水;陳丹;馬占鋒;湯東強(qiáng);汪超 申請(專利權(quán))人 武漢鯤鵬微納光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新三路27號5號樓510室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種種子層的刻蝕方法,用于晶圓級封裝中,包括如下步驟:S1,對長有種子層且具有MEMS腔的晶圓進(jìn)行掩膜作業(yè),作業(yè)時(shí)僅露出鍵合環(huán);S2,在掩膜作業(yè)完成后,對鍵合環(huán)處的所述種子層進(jìn)行電鍍作業(yè);S3,在電鍍作業(yè)完成后,去除掩膜露出種子層;S4,待掩膜去除完畢后,采用氨水、雙氧水以及水的混合物刻蝕去除種子層,以使鍵合環(huán)金屬化。提供一種晶圓級封裝鍵合環(huán)的制作方法,采用上述的種子層的刻蝕方法,得到晶圓級封裝鍵合環(huán)。提供一種晶圓級封裝鍵合環(huán),采用上述的制作方法制得。本發(fā)明通過探索新的刻蝕方法,不僅實(shí)現(xiàn)了種子層的一次性刻蝕,大大縮短了工藝時(shí)間,增強(qiáng)了產(chǎn)品的穩(wěn)定性,還可以顯著降低企業(yè)成本,突破國外對關(guān)鍵材料的限制。??