種子層的刻蝕方法、晶圓級封裝鍵合環(huán)及其制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011134703.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112479153A | 公開(公告)日 | 2021-03-12 |
申請公布號 | CN112479153A | 申請公布日 | 2021-03-12 |
分類號 | B81B7/02(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
發(fā)明人 | 李勝利;王春水;陳丹;馬占鋒;湯東強(qiáng);汪超 | 申請(專利權(quán))人 | 武漢鯤鵬微納光電有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 胡建文 |
地址 | 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新三路27號5號樓510室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種種子層的刻蝕方法,用于晶圓級封裝中,包括如下步驟:S1,對長有種子層且具有MEMS腔的晶圓進(jìn)行掩膜作業(yè),作業(yè)時(shí)僅露出鍵合環(huán);S2,在掩膜作業(yè)完成后,對鍵合環(huán)處的所述種子層進(jìn)行電鍍作業(yè);S3,在電鍍作業(yè)完成后,去除掩膜露出種子層;S4,待掩膜去除完畢后,采用氨水、雙氧水以及水的混合物刻蝕去除種子層,以使鍵合環(huán)金屬化。提供一種晶圓級封裝鍵合環(huán)的制作方法,采用上述的種子層的刻蝕方法,得到晶圓級封裝鍵合環(huán)。提供一種晶圓級封裝鍵合環(huán),采用上述的制作方法制得。本發(fā)明通過探索新的刻蝕方法,不僅實(shí)現(xiàn)了種子層的一次性刻蝕,大大縮短了工藝時(shí)間,增強(qiáng)了產(chǎn)品的穩(wěn)定性,還可以顯著降低企業(yè)成本,突破國外對關(guān)鍵材料的限制。?? |
