非制冷紅外探測器、芯片以及芯片的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011221554.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112499580A 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN112499580A 申請公布日 2021-03-16
分類號 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 馬占鋒;黃立;陳丹;汪超;王春水;高健飛 申請（專利權）人 武漢鯤鵬微納光電有限公司
代理機構 北京匯澤知識產權代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)高新三路27號5號樓510室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種非制冷紅外探測器芯片的制作方法，包括如下步驟：S1，在讀出電路上進行MEMS陣列的制作；S2，待完成后，在讀出電路非MEMS陣列的部位上沉積吸氣劑材料；S3，通過剝離工藝，去掉非制冷紅外像元部分的吸氣劑，留下非制冷紅外非像元部分的吸氣劑。還提供一種非制冷紅外探測器，包括半導體制冷器以及非制冷紅外探測器芯片，芯片設于半導體制冷器上。還提供一種非制冷紅外探測器芯片，包括讀出電路以及設于讀出電路上的MEMS陣列，讀出電路上還沉積有吸氣劑，吸氣劑環(huán)繞MEMS陣列設置。本發(fā)明通過在芯片上沉積吸氣劑材料，去掉兩個吸氣劑管腳，設計更簡單，成本更低；不用再焊接吸氣劑，可以簡化封裝部分的工藝，提高生產效率，降低焊接成本和人力。??