一種激光加工晶圓的方法及裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201710574488.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107234343B | 公開(公告)日 | 2018-09-14 |
申請公布號 | CN107234343B | 申請公布日 | 2018-09-14 |
分類號 | B23K26/364 | 分類 | 機(jī)床;不包含在其他類目中的金屬加工; |
發(fā)明人 | 張紫辰;侯煜;劉嵩 | 申請(專利權(quán))人 | 北京中科微知識產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 中國科學(xué)院微電子研究所;北京中科鐳特電子有限公司 |
地址 | 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種激光加工晶圓的方法及裝置,所述方法包括:設(shè)置激光光束在晶圓上表面Low?K層上加工后需形成的預(yù)設(shè)槽形信息;根據(jù)預(yù)設(shè)槽形信息匹配激光光束需具有的拓?fù)鋱D案分布;根據(jù)所述拓?fù)鋱D案分布對激光光束依次進(jìn)行分束處理、整形處理和聚焦處理后形成具有所述拓?fù)鋱D案分布的激光光斑,用以對晶圓上表面Low?K層進(jìn)行刻蝕并形成預(yù)設(shè)槽形。本發(fā)明能夠根據(jù)后續(xù)的加工工藝需求確定激光光束在晶圓上表面Low?K層上加工后需形成的槽形并形成預(yù)設(shè)槽形信息,然后通過設(shè)置元件設(shè)置上述預(yù)設(shè)槽形信息,并由所述預(yù)設(shè)槽形信息經(jīng)控制器匹配到最佳的拓?fù)鋱D案分布,進(jìn)而使得在晶圓上表面Low?K層刻蝕形成的凹槽更加均勻,熱影響區(qū)更小且均一性更高。 |
