一種低釹磁粉及其制備工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310493011.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104575900A 公開(kāi)（公告）日 2015-04-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN104575900A 申請(qǐng)公布日 2015-04-29
分類號(hào) H01F1/057(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B22D11/06(2006.01)I;C22C38/14(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 岑國(guó)長(zhǎng);謝橋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 綿陽(yáng)新亞科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 621000 四川省綿陽(yáng)市科創(chuàng)園區(qū)創(chuàng)業(yè)大道239號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及磁性材料領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種低釹磁粉及其制備工藝。低釹磁粉，采用質(zhì)量百分比的如下原料：釹10％～15％，鐵70％～80％；鋁1％～5％；硼1％～5％，鋯3％～10％。本發(fā)明進(jìn)一步包括前述低釹磁粉的制備工藝：稱取適量的釹、鐵、鋁、硼、鋯，置于真空感應(yīng)爐內(nèi)，熔煉成合金錠；將合金錠破碎至粒度小于10mm，置于真空快淬爐內(nèi)，使合金溶液以每秒數(shù)十萬(wàn)度至百萬(wàn)度的速度冷卻，制成厚度約30μm的非晶或微晶薄帶；將非晶或微晶薄帶通過(guò)壓制制成粒度約150μm的粉末，在真空晶化爐內(nèi)以700℃左右的溫度進(jìn)行晶化處理，最后使磁粉破碎成粒度在100目至200目區(qū)間的粉料，經(jīng)檢測(cè)合格后即得。