一種硅碳負極補鋰極片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811502679.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109755502B 公開（公告）日 2022-04-22
申請公布號 CN109755502B 申請公布日 2022-04-22
分類號 H01M4/36（2006.01）I;H01M4/583（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/04（2006.01）I;H01M4/1393（2010.01）I;H01M4/1395（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡琪卉;張琦;凌彬 申請（專利權）人 龍能科技（寧夏）有限責任公司
代理機構 北京同輝知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 饒富春
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)科技二路65號6幢10701房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了硅碳負極補鋰極片的制備方法，所述方法包括將鋰粉、硅粉、碳源及導電劑在超臨界流體的氛圍中保護分散制備成補鋰混合物，負極活性物質、補鋰物質及導電劑的配比及分散工藝；在負極集流體上涂布負極漿料,得到負極極片。本發(fā)明制備方法中，補鋰混合物在超臨界流體氛圍中，減少了團聚發(fā)生，提高了漿料的加工穩(wěn)定性，對比普通補鋰工藝制備的極片，電導率提高近兩倍。