一種半導(dǎo)體芯片的濺鍍方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010251217.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111519148B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-11-16 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111519148B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-16 |
分類號(hào) | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 蔣海兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳市海銘德科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市道勤知酷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 何兵;饒盛添 |
地址 | 518000廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道橋頭社區(qū)立新路2號(hào)天佑創(chuàng)客產(chǎn)業(yè)園F1F2-401 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的濺鍍方法,特別的是針對(duì)于異形形狀和需要選擇性區(qū)域?yàn)R鍍的半導(dǎo)體芯片,通過(guò)底座、膠框和中框的配合固定半導(dǎo)體芯片,通過(guò)遮蓋膠遮蔽保護(hù)區(qū)域,可以保護(hù)非濺鍍區(qū)域,避免出現(xiàn)NG產(chǎn)品;中框可以避免膠框與遮蓋膠連接過(guò)于緊密導(dǎo)致取出不便,方便分開(kāi)撕膠,并且可以方便一次性將整塊的雙面膠制成的膠框從底座撕除,還能夠方便半導(dǎo)體芯片的裝夾和取出,隔離半導(dǎo)體芯片側(cè)面的非濺鍍區(qū)域,還能減少成本,可以根據(jù)不同型號(hào)、不同形狀的半導(dǎo)體芯片更換中框。 |
