一種多晶PECVD鍍膜均勻性優(yōu)化的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011450538.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112760614A 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN112760614A 申請公布日 2021-05-07
分類號 H01L31/18(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/505(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 王菲;聶文君;張偉;王路路;賈慧君;李文敏 申請（專利權(quán)）人 晉能光伏技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京慕達星云知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 孫光遠
地址 033000山西省呂梁市文水縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多晶PECVD鍍膜均勻性優(yōu)化的方法，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：預(yù)沉積：采用PECVD鍍膜設(shè)備，在一定的壓力和功率下，通入NH3氣體，經(jīng)沉積得鍍膜A；沉積第一層SiNx層：在一定的壓力和功率下，分別向鍍膜A通入SiH4和NH3氣體，經(jīng)沉積得鍍膜B；沉積第二層SiNx層：在一定的壓力和功率下，分別向鍍膜B通入SiH4和NH3氣體，經(jīng)沉積得多晶PECVD鍍膜。本發(fā)明在常規(guī)PECVD設(shè)備的基礎(chǔ)上，沉積SiNx減反射膜，通過控制兩層膜的厚度與折射率，提高對光吸收，利用SiNx物理穩(wěn)定性，減少光學(xué)損失，提高電池效率，優(yōu)化電池片成品顏色，且本發(fā)明不增加生產(chǎn)成本，易于實現(xiàn)。??