溫度補(bǔ)償型聲表面波濾波器晶圓級封裝結(jié)構(gòu)和制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210382041.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114465591B 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN114465591B 申請公布日 2022-06-21
分類號 H03H3/08;H03H9/02;H03H9/10;H03H9/64 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 深圳新聲半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陶俊潔
地址 518109 廣東省深圳市龍華區(qū)民治街道民泰社區(qū)萬科金域華府一期1-8座5座301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及濾波器技術(shù)領(lǐng)域，公開一種溫度補(bǔ)償型聲表面波濾波器晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：在濾波器晶圓上形成叉指換能器IDT結(jié)構(gòu)、IDT電氣連接金屬條和芯片邊緣金屬環(huán)；在叉指換能器IDT結(jié)構(gòu)、IDT電氣連接金屬條、芯片邊緣金屬環(huán)和濾波器晶圓上淀積溫補(bǔ)層；對溫補(bǔ)層進(jìn)行刻蝕；在暴露出的IDT電氣連接金屬條和芯片邊緣金屬環(huán)上形成金屬層；在金屬層上形成二氧化硅層作為鈍化層，并利用二氧化硅鈍化層與硅蓋晶圓進(jìn)行鍵合，獲得空腔。這樣利用濾波器必要的結(jié)構(gòu)而不需引入額外的鍵合材料層就能夠完成晶圓級封裝，獲得濾波器的空腔結(jié)構(gòu)，且空腔結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高，芯片面積更小，制造成本更低。本申請還公開一種溫度補(bǔ)償型聲表面波濾波器晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。