一種半導體金屬剝離工藝中的角度控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210627301.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114709131A 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN114709131A 申請公布日 2022-07-05
分類號 H01L21/033（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 深圳新聲半導體有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 518049廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)中康路136號深圳新一代產(chǎn)業(yè)園3棟801
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體金屬剝離工藝中的角度控制方法，涉及半導體技術領域，方法包括：在基片表面沉積二氧化硅；在二氧化硅表面涂布正性光刻膠；在正性光刻膠表面遮擋圖形化掩膜版后，對正性光刻膠進行曝光；對正性光刻膠進行顯影，去掉曝光部分的正性光刻膠；采用濕法刻蝕對二氧化硅層進行刻蝕，使二氧化硅層形成與光刻膠層同樣的刻蝕圖形；向所得器件表面沉積金屬層；剝離器件表面的二氧化硅層、正性光刻膠層及正性光刻膠層表面的金屬層。本發(fā)明采取二氧化硅取代LOR光刻膠，配合特定的刻蝕方法，在大幅度降低生產(chǎn)成本的同時，減少投影沉積副作用，最終可形成沉積金屬側面角度超30°的高質量產(chǎn)品。