溫度補(bǔ)償型聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)和制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210382041.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114465591A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114465591A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-21 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03H3/08;H03H9/02;H03H9/10;H03H9/64 | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳新聲半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 陶俊潔 |
| 地址 | 518109 廣東省深圳市龍華區(qū)民治街道民泰社區(qū)萬(wàn)科金域華府一期1-8座5座301 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及濾波器技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種溫度補(bǔ)償型聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：在濾波器晶圓上形成叉指換能器IDT結(jié)構(gòu)、IDT電氣連接金屬條和芯片邊緣金屬環(huán)；在叉指換能器IDT結(jié)構(gòu)、IDT電氣連接金屬條、芯片邊緣金屬環(huán)和濾波器晶圓上淀積溫補(bǔ)層；對(duì)溫補(bǔ)層進(jìn)行刻蝕；在暴露出的IDT電氣連接金屬條和芯片邊緣金屬環(huán)上形成金屬層；在金屬層上形成二氧化硅層作為鈍化層，并利用二氧化硅鈍化層與硅蓋晶圓進(jìn)行鍵合，獲得空腔。這樣利用濾波器必要的結(jié)構(gòu)而不需引入額外的鍵合材料層就能夠完成晶圓級(jí)封裝，獲得濾波器的空腔結(jié)構(gòu)，且空腔結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高，芯片面積更小，制造成本更低。本申請(qǐng)還公開(kāi)一種溫度補(bǔ)償型聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)。 |
