應(yīng)用集成電路廢棄硅片生產(chǎn)太陽能電池用硅片的制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN200510062114.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN1810394A | 公開(公告)日 | 2006-08-02 |
申請公布號 | CN1810394A | 申請公布日 | 2006-08-02 |
分類號 | B09B3/00(2006.01) | 分類 | 固體廢物的處理;被污染土壤的再生〔3,6〕; |
發(fā)明人 | 劉培東 | 申請(專利權(quán))人 | 寧波晶元太陽能有限公司 |
代理機構(gòu) | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 劉培東;浙江東源電子有限公司 |
地址 | 310027浙江省杭州市西湖區(qū)玉古路147號浙大求是村黃鴻年科技綜合樓720室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用集成電路廢棄硅片生產(chǎn)太陽能電池用硅片的制造方法。它是將集成電路廢棄硅片用HCl、H2SO4去除鎂、鋁、錳、鋅、鉻、鐵、鎳、錫、鉛比氫活潑的金屬,用HNO3去除銅、汞、銀過渡金屬,用HF、HNO3混酸去除金屬硅化物、硅氧化物、硅氮化物,再用單面減薄、雙面研磨減薄的方法以去除器件工藝中的有源區(qū),得到原有電阻率的硅片,并經(jīng)清洗、分類、檢測、分檔,生產(chǎn)出太陽能電池用的硅片。本發(fā)明有效利用了集成電路生產(chǎn)中的廢棄的硅片,經(jīng)過一系列處理,除去了硅片一定厚度內(nèi)的硅物理層,同時將這一部分的雜質(zhì)及結(jié)構(gòu)變異一同除去,所得到的硅片比一般的太陽能硅片具有更少的雜質(zhì)和更完整晶體結(jié)構(gòu),生產(chǎn)出的太陽能器件具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率。 |
