用于多晶硅垂直定向生長的隨動隔熱環(huán)熱場結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201020112086.4 申請日 -
公開（公告）號 CN201660714U 公開（公告）日 2010-12-01
申請公布號 CN201660714U 申請公布日 2010-12-01
分類號 C30B15/14(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 唐駿;傅林堅;沈維根;石剛 申請（專利權）人 寧波晶元太陽能有限公司
代理機構 杭州中成專利事務所有限公司 代理人 金祺
地址 310027 浙江省寧波市寧波保稅區(qū)港東大道26號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及多晶硅鑄錠爐設計與制造技術領域，旨在提供用于多晶硅垂直定向生長的隨動隔熱環(huán)熱場結構。該熱場結構包括包括內設有側面包圍式的隔熱籠體的爐室，坩堝及熱場均置于隔熱籠體中，隔熱籠體的上端與提升裝置相連；隔熱籠體上下分別設置頂部保溫板和下保溫層，其中頂部保溫板固定懸掛于電極上，下保溫層及所述熱交換臺均固定于支撐柱上，頂部保溫板與隔熱籠體上端活動相接、下保溫層與隔熱籠體下端活動相接；一個環(huán)形的隨動隔熱環(huán)通過數個連接裝置固定在隔熱籠體的內部。本實用新型設計合理，能夠增大多晶硅晶粒，減少晶界，改善晶體生長方向垂直度，從而提高多晶硅鑄錠品質，同時隨動隔熱環(huán)也起到了降低能耗的作用。