基于頂側(cè)分開控制多晶硅鑄錠爐的加熱控制系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201120261381.0 申請日 -
公開（公告）號 CN202175745U 公開（公告）日 2012-03-28
申請公布號 CN202175745U 申請公布日 2012-03-28
分類號 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 唐駿;趙松宏;陳先榮 申請（專利權(quán)）人 寧波晶元太陽能有限公司
代理機構(gòu) 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 代理人 寧波晶元太陽能有限公司
地址 315800 浙江省寧波市保稅區(qū)港東大道26號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及多晶硅鑄錠爐的生產(chǎn)控制，旨在提供一種基于頂側(cè)分開控制多晶硅鑄錠爐的加熱控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)中側(cè)部加熱器接于側(cè)部電源，頂部加熱器接于頂部電源，側(cè)部電源和頂部電源通過導(dǎo)線連接至功率分配控制模塊，另外設(shè)置中央控制模塊、加熱控制模塊和長晶高度計算模塊，以及爐室頂部的溫控傳感器、下水溫流量傳感器、側(cè)水溫流量傳感器、側(cè)加熱器溫度傳感器、頂加熱器溫度傳感器。本實用新型的優(yōu)點是：晶體生長速度提高，縮短長晶時間；可以精確計算長晶速度及長晶高度，對長晶過程精確控制；加熱器功率總功率降低，且由于其晶體生長時間縮短，能耗顯著降低；使晶體生長界面更加平坦，晶粒垂直度更好且有利于其長大，晶體質(zhì)量提高。