一種晶體硅背面點接觸的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310006876.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103078008B 公開（公告）日 2015-09-02
申請公布號 CN103078008B 申請公布日 2015-09-02
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐冬星;倪建林;聞二成 申請（專利權(quán)）人 浙江光普太陽能科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州華鼎知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 浙江光普太陽能科技有限公司
地址 313100 浙江省湖州市長興縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)經(jīng)四路588號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶體硅背面點接觸的制備方法，包括如下步驟：1）對單晶硅片表面去除損傷層并形成織構(gòu)化絨面結(jié)構(gòu)；2）將制絨好的硅片插入石英舟中擴散形成PN結(jié)，在硅片的正面形成方塊電阻；3）去除硅片四周和背面的PN結(jié)，同時采用HF去粗擴散形成磷硅玻璃；4）采用微波法的等離子體化學(xué)氣相沉積的方法在硅片正反兩面沉積一層氮化硅鈍化減反膜，并在背面留出點接觸的點；5）采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)對電池背電極、背電場、正面電極依次印刷，背電極印刷銀漿，背電場印刷鋁漿，正面電極印刷銀漿，并通過燒結(jié)形成良好的歐姆接觸。本發(fā)明一次性在硅片正反面都鍍上氮化硅薄膜，同時在背面的氮化硅層留出需要點接觸的點，工藝簡單，降低了制造成本。