一種五水硫酸銅晶體及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111474875.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN114016047A | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-02-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114016047A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-08 |
分類號(hào) | C25B1/01(2021.01)I;C25B9/23(2021.01)I;C01G3/00(2006.01)I;C01G3/10(2006.01)I | 分類 | 電解或電泳工藝;其所用設(shè)備〔4〕; |
發(fā)明人 | 陳春;張兵;向文勝;趙建龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 陳小龍 |
地址 | 215300江蘇省蘇州市昆山市千燈鎮(zhèn)黃浦江路1647號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種五水硫酸銅晶體及其制備方法,所述制備方法包括如下步驟:步驟1、在電解槽中靠近陽(yáng)極一側(cè)設(shè)置僅允許陽(yáng)離子通過(guò)的單向離子膜,靠近陰極一側(cè)設(shè)置僅允許陰離子通過(guò)的單向離子膜;在電解槽中加入硫酸水溶液,以電解銅板為陽(yáng)極,通電電解,得到硫酸銅溶液;步驟2、在電滲析器中交替設(shè)置至少一組陽(yáng)離子膜和陰離子膜,與陽(yáng)極相鄰的是陽(yáng)離子膜,與陰極相鄰的是陰離子膜;將步驟1中的硫酸銅溶液導(dǎo)入電滲析器中,通電電滲析,得到進(jìn)一步提純后的硫酸銅溶液;步驟3、將步驟2所得硫酸銅溶液進(jìn)行蒸發(fā)濃縮結(jié)晶處理,離心,得到所述五水硫酸銅晶體。本發(fā)明所述制備方法工藝簡(jiǎn)單,制備的硫酸銅晶體純度高且質(zhì)量穩(wěn)定。 |
