一種以石墨烯為骨架的硅碳薄膜負(fù)極及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010708768.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111969186B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN111969186B 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張悅;劉曙光;龐先標(biāo);楊榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 自貢興川儲(chǔ)能技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉小彬
地址 643000 四川省自貢市沿灘區(qū)板倉(cāng)工業(yè)園區(qū)東環(huán)路19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種以石墨烯為骨架的硅碳薄膜負(fù)極及制備方法，屬于鋰離子電池領(lǐng)域。本發(fā)明所述的制備方法包括以下步驟：步驟1.在襯底上生長(zhǎng)垂直石墨烯骨架；步驟2.將生長(zhǎng)的垂直石墨烯骨架進(jìn)行等離子處理；步驟3.在經(jīng)步驟2處理后的垂直石墨烯骨架上生長(zhǎng)硅材料。本發(fā)明設(shè)計(jì)科學(xué)，方法簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)便。本發(fā)明創(chuàng)造性地先在襯底上生長(zhǎng)垂直石墨烯，而后再在垂直石墨烯骨架上生長(zhǎng)硅材料，從而可以將疏松的硅薄膜嵌入到垂直石墨烯片層之間形成硅碳負(fù)極，能很好地克服硅負(fù)極材料的問(wèn)題，并且可以充分發(fā)揮垂直石墨烯的面內(nèi)導(dǎo)電性能，提高離子嵌入與析出效率，對(duì)于制備大容量鋰離子電池特別是固態(tài)電池具有重要意義。