半導體結構及半導體結構的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010988492.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114203696A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203696A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L27/088（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳卓凡 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體結構及半導體結構的形成方法，結構包括：襯底；位于襯底上若干平行排列的柵極結構；位于各柵極結構兩側襯底內(nèi)的源漏摻雜區(qū)；位于柵極結構部分側壁的側墻結構，所述側墻結構的頂部表面低于所述柵極結構的頂部表面；位于所述源漏摻雜區(qū)上的導電層，所述導電層與柵極結構之間由側墻結構隔離；位于導電層上和側墻結構上的阻擋層。所述半導體結構中的阻擋層和側墻結構能夠共同保護所述導電層的頂部表面和側壁表面，減少所述導電層受到損傷。