半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010912159.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114203814A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114203814A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于海龍;荊學(xué)珍;張浩;張?zhí)锾?孟晉輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中結(jié)構(gòu)包括：基底，所述基底上具有介質(zhì)層，且所述介質(zhì)層內(nèi)具有暴露出基底表面的開口；位于所述開口內(nèi)的導(dǎo)電層；位于所述導(dǎo)電層頂部表面的覆蓋層，由于所述覆蓋層覆蓋于所述導(dǎo)電層表面，能夠減少導(dǎo)電層內(nèi)的原子或者離子向上擴(kuò)散，進(jìn)入到所述介質(zhì)層內(nèi)或者后續(xù)位于開口內(nèi)的其他結(jié)構(gòu)，有利于提高形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能。