半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010988486.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114203698A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203698A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀世良;涂武濤;陳建;張海洋 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底，所述襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第二區(qū)位于相鄰第一區(qū)之間；位于襯底上的第一鰭部結(jié)構(gòu)和第二鰭部結(jié)構(gòu)，所述第一鰭部結(jié)構(gòu)橫跨所述第二區(qū)，所述第二鰭部結(jié)構(gòu)平行于所述第一鰭部結(jié)構(gòu)；位于第二區(qū)上的第一防擴散結(jié)構(gòu)和第二防擴散結(jié)構(gòu)，部分所述第一防擴散結(jié)構(gòu)位于第一鰭部結(jié)構(gòu)內(nèi)，部分所述第二防擴散結(jié)構(gòu)位于第二鰭部結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述第一防擴散結(jié)構(gòu)至少和兩個第二防擴散結(jié)構(gòu)相接。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能得到提升。