半導體結構及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010980689.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114203670A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203670A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L23/528（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭二虎 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
代理機構 北京集佳知識產權代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體結構及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干柵極結構以及第一介質層，所述第一介質層還位于所述柵極結構的側壁面，且所述柵極結構表面低于所述第一介質層表面；在所述柵極結構表面形成柵極保護結構，所述柵極保護結構還位于所述第一介質層內，且所述柵極保護結構表面的邊緣高于表面的中心。從而，提高半導體結構的性能和可靠性。